Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1424TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF Hakkında

RN1424TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 800mA kolektör akımı ile çalışır. İntegre edilmiş 10kΩ base ve emitter-base rezistörleri sayesinde harici bias bileşenleri gerektirmeden doğrudan lojik devrelere bağlanabilir. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük 250mV doyum gerilimi ve 200mW maksimum güç dissipasyonu ile entegre sistemlerde sürücü, anahtar veya amplifikasyon aşamalarında kullanılır. Özellikle az alan gerektiren yüksek entegrasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 300 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok