Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1423TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1423TE85LF
RN1423TE85LF Hakkında
RN1423TE85LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek hızlı NPN ön beslemeli transistördür. Bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleriyle (her biri 4.7 kΩ) basit devre tasarımına olanak tanır. 50V kollektör-emitter gerilimi, 800mA kollektör akımı ve 300MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük 250mV doyum gerilimi ile verimli güç tüketimi sağlar. 200mW maksimum güç harcaması ve SOT-23-3 SMD paketleme ile kompakt tasarımlara uygundur. Lojik seviyeleri sürme, RF uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok