Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1422TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1422
RN1422TE85LF Hakkında
RN1422TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. SO-23 (SMini) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 800mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 300MHz transition frequency özelliğiyle orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Dahili 2.2kΩ baz ve emitter-baz direnç ağı ile konfigüre edilen bu transistör, basit ve kompakt devre tasarımları için tercih edilir. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 65 minimum DC akım kazancı (hFE), güç kontrol, sinyal anahtarlaması ve lojik arayüz uygulamalarında sıkça kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok