Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1421TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1421
RN1421TE85LF Hakkında
RN1421TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre ön önyükleme dirençleri (her biri 1kΩ) ile yapılandırılmıştır. Maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 800mA kolektör akımı ile çalışabilen transistör, 300MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V koşullarında en az 60'tır. Doyum gerilimi (Vce) maksimum 250mV olup, 2mA taban akımında 50mA kolektör akımıyla sağlanır. Bu ön beslemeli yapılandırma, dış ön önyükleme ağı tasarımı ihtiyacını ortadan kaldırarak hızlı prototipleme ve basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. Dijital logic arayüzleri, küçük sinyal anahtarlama ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok