Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1418(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1418
RN1418(TE85L,F) Hakkında
RN1418(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, 200mW güç tüketimine sahiptir. 250 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan transistör, entegre 47kΩ taban direnci (R1) ve 10kΩ emitter-taban direnci (R2) ile önceden ayarlanmıştır. 50 @ 10mA, 5V koşulunda DC akım kazancı sağlar. Düşük kolektör kesme akımı (500nA max) ve 300mV doyum gerilimi ile sağlam anahtarlama performansı sunar. Sinyal işleme, lojik seviye dönüştürme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok