Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1418,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1418
RN1418,LF Hakkında
RN1418,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59) SMD kılıfında sunulan bu komponent, kolektör akımı maksimum 100 mA ve besleme gerilimi 50 V ile çalışabilir. İçyapıda 47 kOhm baz direnci ve 10 kOhm emiter-baz direnci bulunur. Maksimum 200 mW güç tüketimi ile çalışan transistör, 250 MHz transit frekansına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10 mA kolektör akımında ve 5V VCE'de 50'dir. Doyum durumunda 300 mV maksimum VCE değeri ile kontrollü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Sinyal anahtarlaması, küçük güç seviyeli amplifikasyon ve lojik devre uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok