Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1417(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1417
RN1417(TE85L,F) Hakkında
RN1417(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3/SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum kesici-emitör gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. İç dirençler dahil olmak üzere tasarlanmıştır: 10kΩ taban direnci ve 4.7kΩ emitör-taban direnci. 250MHz transition frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 200mW güç dağıtımı kapasitesi ve 300mV doyum gerilimi karakteristiğine sahiptir. Sinyal işleme, lojik devre yönetimi, sürücü uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok