Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1417,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1417

RN1417,LF Hakkında

RN1417,LF, Toshiba tarafından üretilen Surface Mount NPN ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, entegre baz ve emitter dirençleri (R1: 10kΩ, R2: 4.7kΩ) içerir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çalışabilen bileşen, 250MHz transition frekansına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V'ta minimum 30'dur. Maksimum 200mW güç tüketimi ile tasarlanan RN1417,LF, anahtarlama uygulamaları, ön yüklemeli darlington çiftleri ve sinyal amplifikasyonu gibi düşük güçlü devre uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA), minimal kaçak akım gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok