Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1416,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1416
RN1416,LF Hakkında
RN1416,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. 50V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 250 MHz transition frequency'si sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. İçerisinde entegre 4.7kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci bulunur. 200mW maksimum güç tüketimi ve SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paketiyle PCB tasarımlarında kompakt çözüm sağlar. Lojik seviyeleri anahtarlamada, sinyal amplifikasyonunda ve düşük seviyeli kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 50 (10mA, 5V koşullarında) ve doyum gerilimi 300mV'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok