Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1415(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1415
RN1415(TE85L,F) Hakkında
RN1415(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, kollektör akımında 100 mA'e kadar çalışabilir ve maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi tolerans gösterir. 250 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Dahili 2.2 kOhm baz direnci ve 10 kOhm emitter-baz direnci sayesinde bağımsız ön beslemeli yapı sağlar. 200 mW güç dağıtımı kapasitesi ile düşük sinyalli anahtarlama, lojik seviye dönüştürme ve RF uygulamalarında tercih edilir. 50 @ 10mA, 5V koşullarında DC akım kazancı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok