Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1414,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1414
RN1414,LF Hakkında
RN1414,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulur. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışan bu komponent, 250MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Dahili 1kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci sayesinde harici ön beslemeli transistörlere kıyasla devre tasarımını basitleştirir. 200mW maksimum güç tüketimi ve 50@10mA,5V minimum DC gain değerleri ile genel amaçlı sinyal anahtarlama, lojik seviyeleri yükseltme ve düşük güç amplifikasyon devrelerinde kullanılır. ICEO cutoff akımı maksimum 500nA ile düşük sızıntı akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok