Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1413(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1413

RN1413(TE85L,F) Hakkında

RN1413(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3/SC-59/SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50V çalışma voltajında kullanılır. Entegre 47 kOhm taban direnci ile doğrudan sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 200 mW güç dağıtımı ve 250 MHz transition frekansı ile analog ve dijital devreler, amplifikatör tasarımları ve düşük seviye sinyal kontrol uygulamalarında yer alabilir. Düşük kolektör-emiter doyum voltajı (300mV) ile verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok