Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1413,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1413

RN1413,LF Hakkında

RN1413,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. TO-236-3 / SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 250 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uyum sağlar. 47kΩ taban direnci ve 120 (minimum) DC akım kazancı ile entegre ön beslemeli yapısından dolayı dış direnç eklenmeden doğrudan kullanılabilir. 200mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok