Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1412TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1412
RN1412TE85LF Hakkında
RN1412TE85LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emiter breakdown gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışmaktadır. 22kΩ baz direnci ile entegre olarak tasarlanmış olan transistör, 250MHz transition frekansı ve 120 minimum DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. 200mW maksimum güç tüketimi ve 300mV saturasyon gerilimi özellikleri ile genel amaçlı anahtarlama ve işaret kuvvetlendirme uygulamalarında kullanılır. Küçük boyutlu yüzey montajlı tasarımı sayesinde taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devreleri gibi kompakt PCB tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok