Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1412,LXHF
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, VCEO=5
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1412
RN1412,LXHF Hakkında
RN1412,LXHF, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, entegre 22 kΩ base direnci ile hazır kullanım için tasarlanmıştır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 250 MHz transition frekansı ile düşük ve orta frekans uygulamalarında kullanılır. Automotive AEC-Q standartlarına uygun olması, otomotiv endüstrisinde kullanılmak üzere nitelendirilmiştir. 200 mW maksimum güç disipasyonu ile sinyalleşme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 50 V maksimum Vceo ile güvenli çalışma aralığında homojen performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok