Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1412,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1412
RN1412,LF Hakkında
RN1412,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışır. 250 MHz transition frequency'si ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Entegre 22 kΩ base direnci sayesinde ön beslemeli tasarım gerektiren devrelerde doğrudan uygulanabilir. 200mW güç tüketimi sınırlaması ile düşük güçlü sinyal işleme, anahtarlama ve lojik devre uygulamalarında tercih edilir. DC current gain minimum 120 (@1mA, 5V) ile stabil çalışma sağlar. Surface mount montajı nedeniyle kompakt PCB tasarımları için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok