Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1411,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1411
RN1411,LF Hakkında
RN1411,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle çalışır. 250 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Dahili 10 kΩ taban direnci sayesinde ön beslemeli konfigürasyonunda işlem görerek direk lojik seviyelerden kontrole müsait tasarımlanmıştır. 200mW maksimum güç tüketimi ve 120 (minimum) DC akım kazancı ile düşük güçlü sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama ve lojik uygulamalarında yaygın kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok