Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1410,LXHF
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, VCEO=
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1410
RN1410,LXHF Hakkında
RN1410,LXHF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. 4.7kΩ entegre baz direnci ile donatılmıştır ve düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 50V VCEO breakdown voltajı ve 250MHz geçiş frekansı özellikleriyle logik seviye sürüş, sinyal anahtarlaması ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mW güç dağılımı kapasitesi ile ses ve RF devreleri, sensör arayüzleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajı paketi kompakt PCB tasarımlarına uyundur. Otomotiv AEC-Q standardına uygun olması güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok