Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1410,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1410

RN1410,LF Hakkında

RN1410,LF, Toshiba tarafından üretilen bir NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD pakette sunulan bu bileşen, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 200mW güç tüketim sınırı ve 250MHz transition frekansı ile hızlı anahtar uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Entegre 4.7kΩ taban direnci sayesinde harici biyaslandırma direnci gerektirmez. 120 minimum DC akım kazancı ve 300mV saturasyon gerilimi ile lojik seviyeleri anahtarlamak, senkron kontroller tasarlamak ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Gürültü hassas devreler, kızılötesi alıcılar ve genel amaçlı anahtar uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok