Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1409,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1409

RN1409,LF Hakkında

RN1409,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, dahili 47kΩ ve 22kΩ baz dirençleri içerir. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımında çalışabilir. 250MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mW güç sınırlaması ile düşük güç tüketimi gerektiren devrelere uygundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde lojik seviyelerde doğrudan sürülebilir, sinyali değiştirme ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok