Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1406S,LF(D
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1406S
RN1406S,LF(D Hakkında
RN1406S,LF(D), Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, maksimum 100mA collector akımını destekler. Dahili 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile entegre olarak tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan kompakt yapısı, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazandırır. Sinyal anahtarlaması, lojik seviyelendirmesi ve küçük güç amplifikasyonu uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir ve 10mA collector akımında 80 minimum DC akım kazancına (hFE) ulaşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok