Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1406,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1406
RN1406,LF Hakkında
RN1406,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 50V kolektör-emitter gerilim ve 100mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 250 MHz transition frequency ile çalışan transistör, 200mW maksimum güç tüketimi ile sinyal işleme ve düşük güçlü amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 4.7kΩ base direnç ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön önyükleme yapılandırması sayesinde harici ön beslemeli diyot gerektirmez. 80'lik minimum DC akım kazancı ve 300mV saturasyon gerilimi ile lojik devre bağlantılarında ve anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok