Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1405,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1405

RN1405,LF Hakkında

RN1405,LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulur. 50V kolektör-emitter gerilim desteği ve 100mA maksimum kolektör akımı ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Dahili taban direnci (2.2kΩ) ve emitter-taban direnci (47kΩ) sayesinde harici önyükleme devresi gerektirmeden doğrudan kullanılabilir. 250MHz geçiş frekansı ile moderate hızlı uygulamalara uygun olup, 200mW maksimum güç yayabilir. Tipik olarak LED sürücü devreleri, küçük sinyal anahtarlaması ve lojik devre bağlantılarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok