Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1402S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1402S
RN1402S,LF Hakkında
RN1402S,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 250 MHz transition frequency özellikleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Dahili 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde doğrudan kullanıma hazır tasarlanmıştır. 200mW güç tüketimi limiti ile sinyal anahtarlama, darbe devrelerinde ve düşük güç lojik devrelerinde uygulanır. Maksimum 300mV doyum gerilimi ile verimli anahtarlama sağlar. Ön beslemeli konfigürasyonu nedeniyle harici biasing bileşenleri gerektirmez. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok