Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1132MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1132
RN1132MFV,L3F Hakkında
RN1132MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base direnci (200 kΩ) ile birlikte gelmektedir. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 1mA/5V koşullarında en az 120'dir. 150mW maksimum güç tüketimi ile sınırlıdır. Ön beslemeli yapısı sayesinde kendi içinde bias dirençleri barındırır ve devre tasarımını basitleştirir. Anahtarlama ve sinyal yükseltme uygulamalarında, özellikle düşük akım gerektiren kontrol devreleri ve sensör arayüzlerinde tercih edilir. Part Status aktif durumdadır ve endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 200 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok