Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1131MFV(TL3,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
RN1131

RN1131MFV(TL3,T) Hakkında

Toshiba RN1131MFV(TL3,T), NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. 50V maksimum Vce darbelenme voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışmaktadır. Entegre 100kΩ taban direnci sayesinde ön beslemeli (pre-biased) yapılandırma sunarak, dış devrelerde ek bileşen kullanımını azaltır. SOT-723 paketinde sunulan bu transistör, 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Dijital mantık devreleri, anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme ve gürültü azaltma gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok