Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1131MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1131
RN1131MFV,L3F Hakkında
RN1131MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 150mW güç tüketimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 120'dir (1mA, 5V koşullarında). Entegre 100kΩ baz direnci sayesinde harici biyaslandırma devresi gerektirmez. Maksimum 300mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük seviye sinyalleri kontrol etmek, entegre devreler tarafından denetlenen röle ve LED sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Gürültü parazit filtreleme devrelerinde, dijital kontrol ve hızlı anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok