Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1130MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1130
RN1130MFV,L3F Hakkında
Toshiba RN1130MFV,L3F, NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve maksimum 100mA kolektör akımı ile çalışır. İntegre 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base direnç yapısına sahiptir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 150mW maksimum güç tüketimiyle düşük güçlü devre tasarımlarında tercih edilir. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, lojik seviyeleri kontrol eden driver devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok