Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1119MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1119
RN1119MFV,L3F Hakkında
RN1119MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. İçerisinde entegre 1kΩ base direnci bulunması, ayrı direnç gereksinimine ihtiyaç olmaksızın hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmayı sağlar. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 (1mA, 5V koşullarında) olup, 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük gücü uygulamalara uygundur. Tipik olarak lojik seviyeleri amplifikasyon gerektiren, sinyali seviye kaydırma, anahtarlama ve darbe şekillendirme devrelerine entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok