Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1118(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
RN1118

RN1118(TE85L,F) Hakkında

RN1118(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter geriliminde çalışabilir. İçeride 47kΩ taban direnci ve 10kΩ emitter-taban direnci bulunur. 250 MHz geçiş frekansı ve 100 mW güç kapasitesi ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 300 mV doyum voltajı ve 50 nA maksimum kesme akımı ile düşük güç tüketimli uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Active
Power - Max 100 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SSM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok