Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1118MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1118
RN1118MFV,L3F Hakkında
RN1118MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri ile donatılmıştır. 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 250 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. 150mW maksimum güç tüketimi ve 300mV saturasyon gerilimi değerleri ile düşük güç tüketimli lojik devreleri, sinyal anahtarlama uygulamalarını ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerini gerçekleştirmek için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok