Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1117(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN1117
RN1117(TE85L,F) Hakkında
RN1117(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum kollektör akımı 100 mA, maksimum çalışma gerilimi 50V'tur. 250 MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Entegre 10kΩ baz ve 4,7kΩ emitter-baz dirençleriyle kolaylaştırılmış ön yükleme sağlar. 100 mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük gücü uygulamalarda kullanılır. Sinyal anahtarlaması, darbe modülasyonu ve düşük frekanslı dijital uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok