Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1117
RN1117MFV,L3F Hakkında
RN1117MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile karakterize edilir. Entegre 10kΩ taban ve 4.7kΩ emitter-taban dirençleri ile doğrudan devreye monte edilebilir. 250MHz geçiş frekansı ve 150mW maksimum güç tüketimi, anahtarlama ve hızlı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 30 (minimum DC akım kazancı, 10mA'de) ve 300mV maksimum doyum gerilimi ile lojik devreler, sensör arayüzleri ve düşük seviyeli sinyal kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok