Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1116(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN1116
RN1116(TE85L,F) Hakkında
RN1116(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V gerilim dayanımına sahiptir. İçerisinde 4.7kΩ taban direnci ve 10kΩ emitter-taban direnci bulunur. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 100mW güç tüketim kapasitesine sahip olan transistör, elektronik devreler ve sinyal işleme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. Düşük cutoff akımı (500nA) ve stabil DC akım kazancı (50 @ 10mA, 5V) ile hassas lojik ve kontrol devrelerinde yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok