Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1116MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1116
RN1116MFV,L3F Hakkında
RN1116MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında sinyal anahtarlaması ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 50V Vce(max) ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışabilen transistör, 150mW güç sınırlamasına sahiptir. Dahili 4.7kΩ base ve 10kΩ emitter base dirençleri ile önceden tasarlanmış olan bu komponent, hızlı darbe oluşturma ve küçük sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. 250MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Özellikle portatif cihazlar, sensör arayüzleri ve düşük güçlü lojik devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok