Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1115MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1115
RN1115MFV,L3F Hakkında
RN1115MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, 50V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. İntegre edilen temel (2.2 kOhms) ve emiter-temel (10 kOhms) dirençleri sayesinde ön beslemeli yapısı kullanıma hazır durumdadır. 250 MHz geçiş frekansı ve 150 mW maksimum güç seviyesi ile, genel amaçlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Düşük kolektör kapalı akımı (500nA) ve 300mV saturasyon gerilimi sayesinde veri işleme devrelerinde ve dijital kontrol uygulamalarında etkin bir şekilde kullanılabilir. Part Status 'Not For New Designs' olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok