Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1114(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
RN1114

RN1114(T5L,F,T) Hakkında

RN1114(T5L,F,T), Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. İntegre 1kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslandırma ağları gerektirmeden doğrudan kullanılabilir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 100mW güç tüketimi ile sinyal amplifikasyonu, dijital lojik seviyesi dönüştürme ve röle kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 50nA maksimum cutoff akımı ve 300mV doyma gerilimi, düşük güç uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Active
Power - Max 100 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SSM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok