Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1114MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1114
RN1114MFV,L3F Hakkında
RN1114MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan bu komponent, 250 MHz transition frequency'ye sahiptir. Entegre 1kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile donatılmış olup, küçük sinyal amplifikasyon ve anahtar uygulamalarında kullanılır. SOT-723 yüzey montaj paketi ile sunulan RN1114, düşük güç tüketimi (150mW max) gerektiren portatif cihazlar, sinyal işleme devreleri ve lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. 300mV maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok