Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1113
RN1113MFV,L3F Hakkında
RN1113MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışır. Entegre 47kΩ baz direnci ve minimal 120 DC akım kazancı özellikleri sayesinde basit şaltarlama uygulamalarında doğrudan kullanılabilir. 150mW güç dağıtımı kapasitesi ile sınırlandırılmıştır. Düşük gerilim lojik devrelerinde sinyal işlemesi, tetikleme (switching) uygulamaları ve röle sürücü olarak tercih edilir. Gömülü sistemler, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok