Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1113ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Paket/Kılıf
SC-101
Seri / Aile Numarası
RN1113ACT

RN1113ACT(TPL3) Hakkında

RN1113ACT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-101/SOT-883 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V çalışma gerilimi ve 80mA kollektör akımı ile tasarlanmıştır. İçerisinde entegre 47kΩ baz direnci bulunması, harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymadan doğrudan lojik devrelerine bağlanabilmesini sağlar. 100mW güç dissipasyonu ve 120 minimum DC kazançı (hFE) ile, sayısal sinyallerin amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve logik seviye dönüştürme görevlerinde kullanılır. Düşük ICBO kaçak akımı (100nA) ve 150mV saturasyon gerilimi, hassas uygulamalarda güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-101, SOT-883
Part Status Active
Power - Max 100 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Supplier Device Package CST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok