Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1112(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN1112
RN1112(TE85L,F) Hakkında
RN1112(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-75/SOT-416 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 250 MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. İçerisinde entegre 22kΩ base direnci bulunması nedeniyle harici direnç gerektirmez. 100mW maksimum güç yönetimi ve 300mV doyum gerilimi ile sürücü, switch ve sinyal amplifikasyon devrelerinde kullanılan genel amaçlı bir transistördür. Düşük kolektör cutoff akımı (100nA) ve 120 minimum DC current gain ile ekonomik ve güvenilir bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok