Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1112MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1112MFV
RN1112MFV,L3F Hakkında
RN1112MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. SOT-723 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitör durdurma gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışmaktadır. 22kΩ dahili taban direnci sayesinde harici ön beslemeli uygulamalar için uygun bir seçimdir. 150mW güç disipasyonu ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik seviye kaydırma gibi düşük güçlü elektronik uygulamalarda kullanılır. Düşük kolektör-emitör doyma gerilimi (300mV) sayesinde anahtarlama hızı iyidir ve endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve iletişim cihazlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok