Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1111MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1111MFV
RN1111MFV,L3F Hakkında
RN1111MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Dahili 10kΩ base direnci sayesinde direkt sürülebilir ve harici base biasing direncine ihtiyaç duymaz. 150mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. Sinyal anahtarlaması, lojik seviye dönüştürme ve dijital devre kontrol uygulamalarında kullanılır. Aktif durumda sadece 300mV VCE saturation voltajı ile verimli çalışır. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok