Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN1110
RN1110(T5L,F,T) Hakkında
RN1110(T5L,F,T), Toshiba tarafından üretilen SC-75 (SOT-416) paketinde sunulan ön beslemeli NPN transistördür. 50V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışan bu komponent, 250MHz transit frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 4.7kΩ baz direnci ile hazırlanmış olan RN1110, düşük seviye sinyal anahtarlaması, lojik seviyesi dönüştürme ve sürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 100mW güç dissipasyonu kapasitesi ile portatif cihazlar, sensör arayüzleri ve kontrol devrelerinde yer bulur. 120 minimum DC akım kazancı (@1mA, 5V) ve 300mV maksimum doyum voltajı ile verimli anahtarlama karakteristiği sağlar. Surface mount teknolojisine uygun konfigürasyonu PCB alanını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok