Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1110
RN1110MFV,L3F Hakkında
RN1110MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistörüdür. SOT-723 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre base direnci (4.7 kOhms) sayesinde harici bias direnci gerektirmez, bu da devre tasarımını ve PCB alanını kolaylaştırır. 150mW güç dağıtma kapasitesi ve 120 minimum DC akım kazancı ile bu transistör, sinyal anahtarlama, lojik uygulamaları ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Ön beslemeli yapısı ile hızlı geçiş karakteristiği sağlar ve gürültüye karşı toleranslıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok