Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- RN1110ACT
RN1110ACT(TPL3) Hakkında
RN1110ACT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-101 (SOT-883) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V VCE breakdown voltajı ve 80mA kolektör akımı kapasitesiyle çalışır. 47 kΩ base direnci ile entegre edilen transistör, 100mW güç tüketim limitinde işletilir. Tipik olarak sinyal anahtarlaması, lojik seviye dönüştürme ve hafif güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 olup, 1mA kolektör akımında ve 5V VCE'de ölçülür. Satürasyon voltajı maksimum 150mV'dir. Active durum parça statüsü ve geniş uyumluluğu sayesinde endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok