Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1109MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1109
RN1109MFV,L3F Hakkında
RN1109MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışır. Dahili 47kΩ taban ve 22kΩ emitter-taban dirençleri ile önceden tasarlanmıştır. 150mW güç dağıtımı kapasitesine sahip olan RN1109, hızlı anahtarlama uygulamalarında, lojik seviyeleri tersine çevirme (inverter) devrelerinde ve sinyali tetikleme amaçlı devrelerde kullanılır. Düşük kesintisizlik akımı (500nA max) ve 70 minimum DC akım kazancı ile çalışır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici ek biyaslandırma dirençlerine gerek duymaz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok