Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1108
RN1108MFV,L3F Hakkında
RN1108MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistörüdür. SOT-723 yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V gerilim dayanımı ile çalışabilir. İçerisine entegre 22 kΩ taban ve 47 kΩ emitör-taban dirençleri ile önceden ayarlanmış hale gelmiştir. 150 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü anahtar ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300 mV doyum gerilimi, hızlı anahtar işlemleri ve hassas ön yükleme gerektiren devrelerde tercih edilir. Taşınabilir cihazlar, enerji yönetim sistemleri ve düşük sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok