Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1108ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Paket/Kılıf
SC-101
Seri / Aile Numarası
RN1108ACT

RN1108ACT(TPL3) Hakkında

RN1108ACT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-101/SOT-883 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 80mA collector akımı ile çalışabilir. Entegre 22kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile birlikte gelen transistör, DC akım kazancı minimum 80 (10mA, 5V şartlarında) değerine sahiptir. 100mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı ön beslenme devreleri gerektirmeden doğrudan sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Cihaz şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-101, SOT-883
Part Status Obsolete
Power - Max 100 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package CST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok