Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1107MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN1107
RN1107MFV,L3XHF(CT Hakkında
RN1107MFV,L3XHF(CT, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile entegre edilmiştir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 150mW güç tüketimi ve 50V collector-emitter kırılma gerilimi özellikleri ile çalışır. 80 minimum DC akım kazancına (hFE) sahip olup, 300mV satürasyon gerilimi karakteristiğine sahiptir. AEC-Q oto sertifikalı bu transistör, sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve sayısal devre uygulamalarında kullanılır. Küçük form faktörü ve ön beslemeli tasarımı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok